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Monte Carlo模擬薄膜生長(zhǎng)的模型

模型的建立
    薄膜沉積過(guò)程是一個(gè)非常復(fù)雜的物理化學(xué)變化過(guò)程。薄膜生長(zhǎng)的整個(gè)過(guò)程不僅涉及到晶粒的生長(zhǎng)、晶粒間的相互作用、邊界運(yùn)動(dòng)等因素的機(jī)理,也涉及空間填補(bǔ)的拓?fù)鋷缀螜C(jī)理。因此,要對(duì)此進(jìn)行實(shí)際真實(shí)的模擬是不可能的,只能是針對(duì)研究的目的,建立合適的理想模型,以此了解微觀世界所發(fā)生的事件。采用Monte Carl。模擬方法來(lái)考察粒子沉積在基體表面發(fā)生的隨機(jī)過(guò)程。
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